Конструктивно-технологический дайджест
Железнодорожного машиностроения
Ведущие производители силовых IGBT полупроводников
Компания ABB Semiconductors
ABB поставляет на рынок IGBT транзисторы, тиристоры, диоды, запираемые тиристоры (GTO, IGCT) и специальные приборы в диапазоне мощности от 300 до 12000 А и от 200 до 8500 В высочайшего уровня качества.
Предлагаемые решения призваны удовлетворить растущие потребности рынка в приборах большей мощности при меньшей стоимости и габаритах. ABB Semiconductors, Швейцария, (бывшая — BBC Semiconductors) и ABB Semiconductors Швеция (бывшая ASEA Semiconductors) объединились в 1991 году, основав ABB Semiconductors. В 1997 году ABB сделала инвестиции в новое предприятие по выпуску Bi-MOS пластин. Построенное в дополнение к существующей фабрике по выпуску биполярных пластин, это предприятие является одним их крупнейших в Европе и предназначено исключительно для производства IGBT приборов высокой мощности.
ABB производит широкий диапазон заказных и полузаказных высокомощных полупроводников, применяемых на транспорте, энергоемких отраслях промышленности и системах энергетики. Эти продукты дополняются рядом стандартных модулей, применяемых в низковольтном промышленном оборудовании и на транспорте.
Компания Advanced Power Technology (APT)
APT разрабатывает, производит и распространяет по всему миру высококачественные силовые полупроводники с высокой мощностью и высоким напряжением.
Продукция: дискретные полупроводники. Ряд дискретных полупроводников APT включает в себя транзисторы MOSFET, FREDFET, RF MOSFET, IGBT, ультра быстрые диоды с мягким восстановлением (FRED).
IGBT и сверхбыстровосстанавливающиеся диоды (FRED) для преобразовательной техники общего применения. NPT IGBT, используемые на средних частотах (до 150 КГц), основаны передовых технологиях тонких пластин, имеют малый разброс параметров, допускают параллельное включение, имеют улучшенные температурные показатели и надежность.
Выпускаются как дискретные IGBT, так и комбинированные устройства — IGBT + параллельный сверхбыстровосстанавливающийся диод. Рабочие напряжения — 600, 1200 и 1700 В, токи — от 8 до 100 А.
Корпуса — TO-247, T-MAXTM, TO-264, ISOTOPR, а также большое количество стандартных, заказных и герметичных корпусов для поверхностного монтажа.
Компания Toshiba Corporation
Toshiba Electronic Components,Inc.(Япония) – один из крупнейших мировых производителей электронных компонентов и систем — разрабатывает и производит большое количество силовых полупроводников.
Продукция
IGBT - модули и дискретные транзисторы: третье поколение IGBT-транзисторов на 600 В; дискретные IGBT-транзисторы; IGBT-модули серии IGBT Plus на 1200 В, выполненные по технологии NPT (Non Punch Thru); IGBT-модули на 1700 В; улучшенное второе поколение IGBT транзисторов на 1200 В с высокой скоростью переключения; чопперы на 600...1200 В; транзисторно диодные модули со встроенным FRD -диодом (Co-Pack IGBT) ; IGBT-модули прижимного типа; IGBT-модули в корпусах типа SIP— высокоскоростные и с малым напряжением насыщения. Интегрированные IGBT модули (IPM/PIM): интеллектуальные модули на 600 и 1200 В; интеллектуальные модули серии Compact на 600 и 1200 В.
Компания Dynex Semiconductor
Бизнес Dynex в области силовых полупроводников был основан в Линкольне (Великобритания) более 50 лет назад, в то время компания была одной из немногих, занимающихся силовыми компонентами и носила имя AEI Semiconductors Ltd. С тех пор компания расширила свое производство приобретением подразделений и технологий таких известных компаний, как GEC, SGS-Thomson, Alstom и Marconi Electronic Devices Ltd (MEDL). Сегодня штаб-квартира Dynex Semiconductor, основное производство, исследовательский центр, службы продаж и маркетинга расположены в Линкольне. Производственные площади были приобретены у компании Mitel в 2000 году, имеют чистые помещения и самое современное оборудование, отвечающее жестким требованиям производства силовых полупроводников.
Продукция
биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Dynex производит различные IGBT в виде кристаллов и модулей. Модули включают изделия с параметрами рабочего напряжения от 600 до 3300 В и тока от 200 до 2400 А. Модули отвечают самым строгим требованиям качества в отрасли. Dynex имеет замкнутый цикл производства, начиная от IGBT-технологий разработки собственного инженерного центра и заканчивая контролем качества испытаниями модулей. Все IGBT FRD устройства доступны в виде кристаллов. Dynex - действительно независимый источник IGBT-технологий для приложений с высокими требованиями к надежности, включая железнодорожный транспорт, индукционный нагрев, ветровые генераторы, электрические машины.
Биполярные полупроводники. Dynex так же производит широкий диапазон тиристоров (SCR), выпрямительных диодов, симисторов, запираемых по затвору тиристоров (GTO), импульсных тиристоров и диодов с быстрым восстановлением с рабочими напряжениями от 1200 до 6500 В и
токами от сотен до 11000 А. Дополнительно Dynex оказывает содействие решению индивидуальных задач потребителей по конструктивному исполнению узлов и отводу тепла.
Компания EUPEC
Полная гамма выпускаемой продукции Eupec включает мощные диодные, тиристорные и диодно-тиристорные модули, IGBT-модули, драйверы к IGBT-модулям, PIM-модули, а также вспомогательные изделия и отладочные платы.
Вся производимая компанией продукция отвечает самым современным требованиям заказчиков, так как большая часть продукции разрабатывалась в тесном взаимодействии с потребителями, зачастую для очень специфичных применений.
Мощные и высоковольтные модули IGBT для приводов средней мощности и транспортных применений. Модули IGBT и PIM (Power Integrated Modules) модули для стандартных промышленных двигателей, ветроэлектростанций и источников питания.
Продукция
Модули IGBT высокой мощности и высокого напряжения до 6500 В. IGBT модули и интеллектуальные PIM-модули для стандартных промышленных приводов, генераторов мощности и блоков электропитания.
Быстро переключающиеся IGBT-модули с малыми потерями с рабочими напряжениями от 600 до 1700 В.
FUJI ELECTRIC CO. Ltd
FUJI ELECTRIC CO. Ltd, Япония, основана в 1923 году и работает в
различных областях бизнеса. Общее количество сотрудников — более 15 тысяч человек, более 120 производственных отделений и сервисных центров работает по всему миру. В продукции доля дискретных силовых полупроводников составляет около 50%, доля силовых модулей — 28%, интегральных микросхем — 22%. Fuji Semiconductor, Inc. является подразделением FUJI ELECTRIC CO.
Продукция
Силовые IGBT-модули с предельными параметрами до 1800 В и рабочими токами до 800 А (при этих значениях напряжение насыщения — менее 4,5 В).
Компания IXYS Corporation
Основанная в 1983 году компания IXYS является одним из крупнейших разработчиков и производителей силовых полупроводников и модулей, предлагая проукцию на рынки преобразовательной техники и приводов.
Продукция
IGBT-транзисторы (серий S, D (NPT тип), G (HiPerFAST, с временем выключения 100 нс при токе 60 А)). IGBT-модули: полумостовая схема, чопперы, трехфазные инверторы, с предельными параметрами до 1600 В, 1100 А.
Компания Mitsubishi Electric Corporation
Сектор силовых Mitsubishi Electric модулей начал свою деятельность в 1978 году. Сегодня Mitsubishi Electric является одним из ведущих мировых производителей силовых полупроводников. Подразделение силовых устройств расположено в Фукуоке, Япония. Продолжая разрабатывать новую продукцию для удовлетворения требований современных промышленных приложений, Mitsubishi уделяет большое внимание технической поддержке: расположенный в Европе инженерный центр работает в тесном сотрудничестве с потребителями, обеспечивая техническую и коммерческую жизнеспособность новых разработок.
Продукция
IGBT-модули. Биполярные транзисторы с изолированным затвором: одиночные, сдвоенные, чопперы, 4-pack и 6-pack модули. Параметры стандартных модулей — ток от 10 до 1400 А и напряжение от 600 до 1700 В.
Серия F IGBT модулей изготавливаются по технологии trench gate, выпускаются в оригинальных корпусах, что обеспечивает низкие потери проводимости, малые внутренние индуктивности, смягчает проблему ЭМС.
Также выпускаются модули высокого напряжения и больших токов (1800А при 1700 В, 1200 А при 3300 В, 900 А при 4500 В).
Интеллектуальные модули (IPM). IGBT-модули, сочетающие ключевую схему, драйверы и цепи защиты в одном корпусе. IPM-модули значительно повышают скорость и эффективность разработки.
Nihon Inter Electronics Corporation
NIEC состоит из головной фабрики производства кристаллов в г. Хадано, компании Interunits Corporation, Япония, компании International Electronics Co. в Тайване, производящей выпрямители, и компании Philippine Inter Electronics Co. в Филиппинах.
Продукция
Силовые модули (диодные, тиристорные, FRD/SBD диодные модули, MOSFET и IGBT модули).
Компания Powerex, Inc.
Компания является эксклюзивным партнером Mitsubishi Electric на рынке Америки. Штаб-квартира находится в Youngwood, штат Пенсильвания.
Продукция
IGBT транзисторы и интеллектуальные модули. IGBT, высоковольтные IGBT, IGBT с технологией Trench Gate. Powerex выпускает для потребителей IGBT-модулей биполярные транзисторы с изолированным затвором, которые отличаются эффективной работой, высокой износоустойчивостью и временем работы. Выпускаются следующие типы транзисторов: одиночные, сдвоенные, счетверенные, чопперы, полные 3-фазные транзисторные мосты, полные 3-фазные транзисторные мосты с тормозным транзистором. Рабочие напряжения — от 250 до 6500 В, токи — от 10 до 2400 А.
Применение: инверторы для тяговых двигателей; источники бесперебойного питания; сервоприводы; устройства электропитания медицинского оборудования; сварочные аппараты.
Компания Powersem GmbH
Powersem основана в 1985 году в Schwabach, Германия, компания полностью владеет исследованием, разработкой и автоматизированным производством многокристальных полупроводниковых модулей. Powersem является мировым лидером в поставке модулей с изолированным основанием для одно и трехфазных, полумостовых и мостовых управляемых силовых модулей, включая твердотельные реле.
Разработаны новые модульные решения, находящие применение в приводах моторов, источниках бесперебойного питания UPS, приборов для автомобильной промышленности, гибридные модули для инверторов с мощностью до 5 кВт, работающие с моторами, корпусированы в эксклюзивный корпус ECOPAC— уникальный, компактный, но с высокой температурной эффективностью модуль.
Компания Semikron Inc.
SEMIKRON является одним из ведущих независимых мировых производителей силовой электроники, занимая около 34% от общего европейского объема и существенную долю в производстве интеллектуальных силовых модулей и диодных и тиристорных модулей. Имеет 2500 работников по всему миру и глобальную сеть из 45 компаний. SEMIKRON первой в мире внедрила изолированный силовой модуль SEMIPACK, более 56 миллионов которых находятся сегодня в работе.
Изобретены IGBT-модули серии SKiM с фиксируемым на модуле драйвером и SKiiP-3, интегрированной интеллектуальной силовой подсистемой.
Устройства в основном, находят применение на рынке приводов, источников питания, процессах промышленной автоматизации, энергетическом рынке, автомобилестроении.
ОАО «Электровыпрямитель»
В ОАО «Электровыпрямитель» разработана и внедрена в производство серия IGBT-модулей на токи от 25 до 4800 А, напряжения 600, 1200, 1700, 2500, 3300 и 6500 В.
В ОАО «Электровыпрямитель» разработаны и освоены в производстве IGBT–модули транспортного исполнения, предназначенные для преобразовательного электрооборудования подвижного состава российских железных дорог. Модули этой серии имеют повышенную энерготермоциклостойкость и созданы в первую очередь для использования в условиях жестких климатических и механических воздействий, характерных для российских железных дорог. Приборы данной серии применены в преобразователях для бортового питания локомотивов, в новых системах электродинамического торможения тепловозов, электроприводе городского транспорта (троллейбусы, трамваи). Для электрооборудования подвижного состава железных дорог разработаны новые IGBT-преобразователи частоты собственного изготовления для бортового питания магистральных электровозов постоянного тока и электропоездов.
